STL20DN10F7

功能描述:MOSFET 2N-CH 100V 20A PWRFLAT56

制造商:stmicroelectronics

系列:DeepGATE?,STripFET? VII

包装:剪切带(CT)

零件状态:有效

FET 类型:2 个 N 沟道(双)

FET 功能:标准

漏源极电压(Vdss):100V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):20A

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):67 毫欧 @ 2.5A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):7.8nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):408pF @ 50V

功率 - 最大值:62.5W

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

封装/外壳:8-PowerVDFN

供应商器件封装:PowerFlat?(5x6)

标准包装:1

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